硅二极管的正向导通电压降为0.5-0.7伏；锗二极管的正向导通电压降为0.1-0.3伏。 导通电压降受通过电流大小的影响。 作为"导通电压"，应该是指初始导通时的电压降，所以可取最小值，即： 硅二极管正向导通电压为0.5伏；锗二极管正向导通电压为0.1伏。

（1）硅二极管的门槛电压 （又称死区电压或开启电压） ，锗二极管的门槛电压 。硅二极管的导通电压 （即正向导通时的管压降） 为0.7v，锗二极管的导通电压为0.2v。 注意：门槛电压的存在是由于外加电压需要克服pn结（即空间电荷区）的存在才能实现导通。

首先，导通电压和材料有关。. 通常，硅二极管的阈值电压约为0.5V~0.6V，锗二极管的阈值电压约为0.1V~0.2V。. 精确计算请查阅规格书，粗略估算可直接用0.7V（硅管）。. 其次，导通电压和温度有关，和二极管的负温度特性类似。. 高温时，三极管的导通电压阈值会

（1）硅二极管的门槛电压 （又称死区电压或开启电压） ，锗二极管的门槛电压 。硅二极管的导通电压 （即正向导通时的管压降） 为0.7v，锗二极管的导通电压为0.2v。 注意：门槛电压的存在是由于外加电压需要克服pn结（即空间电荷区）的存在才能实现导通。

硅二极管的正向导通电压降为0.5-0.7伏；锗二极管的正向导通电压降为0.1-0.3伏。 导通电压降受通过电流大小的影响。 作为"导通电压"，应该是指初始导通时的电压降，所以可取最小值，即： 硅二极管正向导通电压为0.5伏；锗二极管正向导通电压为0.1伏。

必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。 只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为"门槛电压"，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。