ATG不稳定性（Aunio et al., 1999）是一种在分子束外延（MBE）生长过程中可能出现的现象。它指的是在生长过程中，由于原子沉积速率与表面迁移率之间的不匹配，导致表面原子的排列出现周期性的不稳定模式。这种不稳定性会影响生长层的质量和均匀性，从而对材料的最终性能产生影响。

在分子束外延生长过程中，ATG不稳定性可能会导致以下几个方面的影响：

1. 表面粗糙度增加：由于原子沉积与迁移的不匹配，表面原子的排列可能会出现周期性的波动，导致表面粗糙度增加。
2. 生长速率的波动：ATG不稳定性可能会导致生长速率出现周期性的波动，影响材料的均匀性。
3. 材料缺陷的产生：不稳定性可能导致材料中缺陷的产生，如位错、堆垛层错等，这些缺陷会影响材料的电学、光学等性能。
4. 生长模式的转变：在某些情况下，ATG不稳定性可能会导致生长模式的转变，如从层状生长转变为岛状生长。

为了控制ATG不稳定性对分子束外延生长过程的影响，研究人员通常会采取一些措施，如优化生长参数（如沉积速率、衬底温度等）、使用缓冲层或掺杂剂来改善表面迁移率等。通过这些方法，可以在一定程度上减少ATG不稳定性对生长过程的影响，从而获得更高质量的材料。