参考资料

绝缘体上硅（SOI）技术与传统的体硅CMOS技术相比，在性能上有显著提升。以下是一些主要的性能提升点：

1. 降低功耗：SOI技术由于其结构特点，可以有效降低漏电流，从而减少功耗。例如，使用28nm FD-SOI工艺的产品与同等工艺的体硅CMOS相比，漏电降低了50%。

2. 提高性能：SOI技术允许晶体管在较低的电压下工作，同时保持或提高开关速度，从而提升性能。ARM公司认为，22nm FD-SOI技术可以使性能提高一倍。

3. 减少寄生电容：在SOI技术中，由于在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层，寄生电容比传统CMOS技术少，这有助于提升晶体管的开关速度。

4. 提高可靠性：SOI技术可以减少闩锁效应（Latch-up）的发生，提高电路的可靠性。有资料指出，FD-SOI技术可以使可靠性提高100倍。

5. 更好的电学隔离：SOI技术提供了更好的电学隔离特性，这对于提升高频应用中的性能尤为重要。

6. 多应变技术：在先进的SOI CMOS技术中，使用了不同的应力记忆现象，以提高晶体管的性能。

综上所述，SOI技术在降低功耗、提高性能、减少寄生电容、提高可靠性等方面相比传统CMOS技术有显著优势，尤其适合高性能、低功耗的应用场景。 图片展示了SOI CMOS技术的结构，其中绝缘层有助于减少寄生电容并提升性能。来源