参考资料

迁移率（mobility）是指单位 电场强度 下所产生的 载流子 平均 漂移速度 。 它的单位是厘米 2 /（伏·秒）。 迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或 空穴 ）浓度决定了半导体的 电导率 。

迁移率描述了载流子在电场作用下的运动情况，其物理意义：在单位电场强度下的电子 和 ... Si的电子迁移率约为 1350cm^2/(V·s) ，空穴迁移率约为 480cm^2/(V·s) ，而沟道处受到表面态（散射增强）及沟道电场影响，电子迁移率约为 500cm^2/

电子迁移率（英语：electron mobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（hole mobility）。人们常用载流子迁移率（carrier mobility）来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。