分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，MBE）技术是一种用于生长高质量、单晶薄膜的材料生长技术。它通常需要在超高真空（Ultra High Vacuum，UHV）环境中进行，以确保薄膜生长过程中不受气体分子的干扰。根据搜索结果，MBE技术通常要求真空度达到1×10^-10至1×10^-8托（Torr）的范围，以保证薄膜的质量和纯度。在这种高真空环境中，来自各种蒸发源的材料分子直接沉积在基底上，通过精确控制沉积速率和温度，可以实现原子级别的薄膜生长。
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