分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，简称MBE）是一种在超高真空条件下，通过精确控制不同材料的分子束流，逐层沉积在单晶基底上，以生长高质量薄膜的技术。MBE技术允许精确控制生长速率、薄膜厚度和化学组成，因此非常适合制备具有特定结构和功能的薄膜材料。

在材料科学中，MBE技术有广泛的应用，包括但不限于以下几个方面：

1. 半导体材料：用于制备高性能的半导体器件，如发光二极管（LEDs）、激光器和太阳能电池。
2. 磁性材料：用于制造磁性存储设备和传感器。
3. 超导材料：用于制备超导薄膜，应用于量子计算和磁悬浮技术。
4. 光电子材料：用于制造光电探测器、调制器和其他光电子器件。
5. 铁电材料：用于制备存储器和传感器等。
6. 热电材料：用于开发高效的热电转换设备。

MBE技术因其能够精确控制材料的微观结构和化学组成，而在材料科学领域扮演着重要角色。通过MBE技术，研究人员能够设计和制造出具有特定功能的新型材料，推动了材料科学的发展。