蓝宝石上的硅 (英語: silicon on sapphire, SOS)是 集成电路 制造工艺中的一种 异质外延 技术,它将一层较薄(通常小于0.6微米)的 硅 生长在 蓝宝石 (主要成分为 氧化铝) 晶圆 上。. SOS技术是 CMOS 技术中 SOI (Silicon On Insulator, SOI,绝缘体上的硅)的一部分。.
蓝宝石上的硅(英语:)是集成电路制造工艺中的一种异质外延技术,它将一层较薄(通常小于0.6微米)的硅生长在蓝宝石(主要成分为氧化铝)晶圆上。SOS技术是CMOS技术中SOI(,绝缘体上的硅)的一部分。
蓝宝石上外延硅工艺是在蓝宝石片上外延生长一层硅薄膜以制作半导体集成电路的技术,简称 sos。 ... 来源于浮衬底的漏极电流的扭曲现象,使 cmos /sos结构不利于在模拟技术中应用。蓝宝石单晶的熔点高和硬度大,单晶制备和加工较为困难。
蓝宝石上的硅(SOS)技术是一种将硅薄膜生长在蓝宝石(主要成分为氧化铝)晶圆上的集成电路制造工艺。这种技术具有高集成度、高速度、微功耗和抗辐射等优点,广泛应用于无线通信芯片、微型电路、逻辑组件、宇航及空间技术等领域。
目前,主导和使用SOS技术的公司和机构包括:
此外,SOS技术在现代激光通信芯片中是核心,具有晶片的电晶体速度更快的特性。蓝宝石单晶的熔点高和硬度大,单晶制备和加工较为困难,这限制了SOS技术的广泛应用。尽管如此,SOS技术因其独特的优势,在特定领域仍然非常重要。
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